某模組廠商的DDR（左）與DDR2內(nèi)存模組簡要指標 ，從中我們了解到這種重疊交接區(qū)的范圍有多大（點擊放大）

DDR/DDR2/DDR3在理念上講，都是一脈相承的，基本的原理還是DDR，只是不斷的加大預取位寬以降低內(nèi)核頻率，從而可以將外頻提高到更高的水平，以達到提升性能的目的。在DDR/DDR2/DDR3的交接過程中，我們必須要明白的是，只要外頻（或者是時鐘頻率）一樣，那么它們的性能就是一樣的。但由于物理上的限制，DDR最終達不到DDR2的中高水平，DDR2也同樣達不到DDR3的中高水平，這也就是升級的最大動力所在。

但是，在官方標準中，DDR到DDR2，DDR2到DDR3的交接是線性的，DDR的終點是DDR400，DDR2的起點是DDR2-400，終點是DDR2-800，而這也是DDR3的起點，當我們仔細看看這些官方標準的規(guī)定時，就會發(fā)現(xiàn)它們沒有似乎并沒有什么性能上的差距。不過在深入討論前，還是先讓我們復習一下內(nèi)存的時序參數(shù)。

內(nèi)存模組延遲方面的參數(shù)中，通常所說的3-3-3/4-4-4，都是指CL/tRCD/tRP，這三個參數(shù)我就不在這詳細解釋了，有興趣的讀取請參考本人早幾年前的專題《高手進階，終極內(nèi)存技術指南——完整/進階版》。但在DD3出現(xiàn)后，我們發(fā)現(xiàn)大家對這三個參數(shù)所代表的具體時長仍然有較大的誤解，包括一些媒體的編輯，在寫文章時也只關注于數(shù)字上的區(qū)別，而似乎不明白其背后的含義。所謂的CL/tRCD/tRP周期數(shù)，都離不開單位周期的時長，而這個時長是與內(nèi)存的時鐘頻率有關的，并不是一個絕對的數(shù)值。比如說DDR-400與DDR2-533，如果都是3-3-3，那么誰更快呢？顯然是后者，因為后者的頻率更高，單周期時長更短。

為了方便讀者自行對比，我制作了下面這張表，然后大家可以用一些內(nèi)存模組的參數(shù)來對照。

DDR內(nèi)存家族延遲時序周期對照表（點擊放大）

現(xiàn)在我們再來看看一家非常正規(guī)的內(nèi)存廠商（它不以自己的牌子在零售市場上銷售內(nèi)存模組）自己給出的其模組產(chǎn)品的總體規(guī)格，分DDR2和DDR3兩大類。你能發(fā)現(xiàn)什么嗎？

如果以DDR2-800（PC2-6400）為例，我們可以看看，其標準的時序是5-5-5或6-6-6，在4-5-5時可以在PC2-4200（DDR2-533）下工作。如果以5-5-5計算，就是45ns的總延時。而再看DDR3-800（PC3-6400），也是一樣的5-5-5或6-6-6，而在行活動周期（tRC）一項上則領先于DDR2。

可是我們再看最開始我們給出的那家模組廠商的產(chǎn)品參數(shù)，DDR2-800可以達到4-4-4，業(yè)界還有比它更厲害的，是3-3-3。但我們在哪些也沒找到有這種能力的內(nèi)存芯片，顯然大多是通過加電壓而獲得的這種能力（標準的DDR2內(nèi)存模組是1.8±0.1V）。

如果用這種產(chǎn)品與我們上面所說的，按照正規(guī)標準設計的模組相比，顯然是不公平的。但我們可以看看在DDR/DDR2對比，以及DDR2/DDR3的對比中，低一級的產(chǎn)品所使用都是什么模組呢？大多是DIY專用的發(fā)燒級產(chǎn)品，而新一級的產(chǎn)品則是按部就班老老實實的提供非常標準而正規(guī)的產(chǎn)品，從而更不要說低級產(chǎn)品以“越級”的方式以更高的頻率來對抗高一級的產(chǎn)品了。 #p#page_title#e#

說到這，大家應該明白，DDR2時代的尷尬并不是DDR2本身的問題，而是廠商為了DDR市場上的賣點而擅自發(fā)揮所造成的結果。如果大家都是老老實實的按照標準做事，DDR2并不會有什么難看的。

不過，話雖然這么說，但畢竟廠商離不開市場，而在現(xiàn)有的情況下，DDR3的尷尬也將是注定了的。但請注意這并不是DDR3的無能，而是某些廠商有能耐。再以最上面的那個廠商為例，已經(jīng)將DDR2做到了PC2-8500（DDR2-1066）的水平，而時序水平達到了5-5-5的水平。再看看DDR3-1066還是7-7-7的水平?？墒乔罢叩碾妷菏?.2V，高出了標準0.4V，一切盡在不言中。

本文并不想否認DDR3目前尷尬的處境，雖然能達到PC2-8500的產(chǎn)品并不多見，但在DDR3的成長期中，這類產(chǎn)品會越來越多，而其中一些高性能的模組也會起到“以點遮面”的效果，在媒體的評測中，都是以最強的DDR2去拼標準的DDR3，從而給用戶一個錯覺——DDR3比DDR2差?？稍趯嶋H的選購中，又有誰肯花大價錢去買那些發(fā)燒級的內(nèi)存模組呢？這才是需要我們注意的，也許兩年內(nèi)我們中的大部分人不會邁入DDR3的門檻，但對其中的是是非非要有自己的判斷。

如果說DDR2的尷尬會在DDR3身上繼承的話，那么DDR2當時的出路也同樣適用于DDR3，那就是以服務器/筆記本電腦市場來包圍最后的臺式機市場。從DDR3的設計上，我們就能明顯看出其比DDR2更為節(jié)能的傾向，這些在我早前的專題《恩怨的延續(xù)——XDR2與DDR3》中有了較為詳細的闡述，在這里就不多說了。但在寫那篇專題時，DDR3并沒有最終定案，因此在本文的最后，還是需要對DDR3的一些關鍵點進行簡要的介紹。

DDR3的信號在模組PCB上拓撲設計，采用了Fly-by的架構

為了滿足高速度下尋址與命令信號的完整性，DDR3引入了穿越（Fly-by）架構，控制器發(fā)出的命令與尋址信號，不再同時向所有的芯片發(fā)送，而是先放送到模組上，再依次貫穿所有的芯片，并在模組上進行信號的終結，這樣減少高頻率下信號同步的問題，并將進一步簡化主板的設計。這對于筆記本電腦來說，顯然是歡迎的。

DDR3在數(shù)據(jù)傳輸上也分別與每個芯片單獨打交道，可謂是點對點的溝通

另外，在數(shù)據(jù)傳輸方面，DDR3與DDR2在架構上也有所不同。為了配合Fly-by設計，DDR3允許內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組上的每個芯片進行單獨的溝通，而DDR2則需要一個整體的數(shù)據(jù)輸入與輸出總線（因為命令與尋址信號對于DDR2芯片來說是同時到達，而DDR3并不是），在高速傳輸中，也將同步性能問題所造成的影響降至最低。這也為后來的頻率進一步提升打下了基礎。

配合更低的1.5V電壓，顯然DDR3初期的主戰(zhàn)場與DDR2當時一樣，會首先瞄準筆記本電腦市場。其次，隨著數(shù)據(jù)中心對服務器能耗與散熱的越來越強烈的關注，低能耗的DDR3內(nèi)存也會更早的進入服務器廠商們的法眼。對于企業(yè)級用戶來說，服務器的性能并不是第一位的，穩(wěn)定、可靠與省錢已經(jīng)成為企業(yè)數(shù)據(jù)中心主管們的最大需求。

因此，作為臺式機用戶的我們，現(xiàn)在還沒有必要去關心DDR3（但說不準哪天我們用的筆記本電腦就已經(jīng)是DDR3內(nèi)存了）。而等到DDR3內(nèi)存降到心理價位時，DDR2想必也已經(jīng)跟不上DDR3的步伐了。只是在這期間我們也沒必要抱怨DDR3什么，尷尬的確存在，但當我們今天為DDR3敗在DDR2手下，或是基本與之持平而有所不齒時，就請想想我上面說的話，以及DDR2當時所遭遇的情形吧……