某模組廠商的DDR（左）與DDR2內(nèi)存模組簡要指標(biāo) ，從中我們了解到這種重疊交接區(qū)的范圍有多大（點(diǎn)擊放大）

DDR/DDR2/DDR3在理念上講，都是一脈相承的，基本的原理還是DDR，只是不斷的加大預(yù)取位寬以降低內(nèi)核頻率，從而可以將外頻提高到更高的水平，以達(dá)到提升性能的目的。在DDR/DDR2/DDR3的交接過程中，我們必須要明白的是，只要外頻（或者是時(shí)鐘頻率）一樣，那么它們的性能就是一樣的。但由于物理上的限制，DDR最終達(dá)不到DDR2的中高水平，DDR2也同樣達(dá)不到DDR3的中高水平，這也就是升級的最大動力所在。

但是，在官方標(biāo)準(zhǔn)中，DDR到DDR2，DDR2到DDR3的交接是線性的，DDR的終點(diǎn)是DDR400，DDR2的起點(diǎn)是DDR2-400，終點(diǎn)是DDR2-800，而這也是DDR3的起點(diǎn)，當(dāng)我們仔細(xì)看看這些官方標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定時(shí)，就會發(fā)現(xiàn)它們沒有似乎并沒有什么性能上的差距。不過在深入討論前，還是先讓我們復(fù)習(xí)一下內(nèi)存的時(shí)序參數(shù)。

內(nèi)存模組延遲方面的參數(shù)中，通常所說的3-3-3/4-4-4，都是指CL/tRCD/tRP，這三個(gè)參數(shù)我就不在這詳細(xì)解釋了，有興趣的讀取請參考本人早幾年前的專題《高手進(jìn)階，終極內(nèi)存技術(shù)指南——完整/進(jìn)階版》。但在DD3出現(xiàn)后，我們發(fā)現(xiàn)大家對這三個(gè)參數(shù)所代表的具體時(shí)長仍然有較大的誤解，包括一些媒體的編輯，在寫文章時(shí)也只關(guān)注于數(shù)字上的區(qū)別，而似乎不明白其背后的含義。所謂的CL/tRCD/tRP周期數(shù)，都離不開單位周期的時(shí)長，而這個(gè)時(shí)長是與內(nèi)存的時(shí)鐘頻率有關(guān)的，并不是一個(gè)絕對的數(shù)值。比如說DDR-400與DDR2-533，如果都是3-3-3，那么誰更快呢？顯然是后者，因?yàn)楹笳叩念l率更高，單周期時(shí)長更短。

為了方便讀者自行對比，我制作了下面這張表，然后大家可以用一些內(nèi)存模組的參數(shù)來對照。

DDR內(nèi)存家族延遲時(shí)序周期對照表（點(diǎn)擊放大）

現(xiàn)在我們再來看看一家非常正規(guī)的內(nèi)存廠商（它不以自己的牌子在零售市場上銷售內(nèi)存模組）自己給出的其模組產(chǎn)品的總體規(guī)格，分DDR2和DDR3兩大類。你能發(fā)現(xiàn)什么嗎？

如果以DDR2-800（PC2-6400）為例，我們可以看看，其標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)序是5-5-5或6-6-6，在4-5-5時(shí)可以在PC2-4200（DDR2-533）下工作。如果以5-5-5計(jì)算，就是45ns的總延時(shí)。而再看DDR3-800（PC3-6400），也是一樣的5-5-5或6-6-6，而在行活動周期（tRC）一項(xiàng)上則領(lǐng)先于DDR2。

可是我們再看最開始我們給出的那家模組廠商的產(chǎn)品參數(shù)，DDR2-800可以達(dá)到4-4-4，業(yè)界還有比它更厲害的，是3-3-3。但我們在哪些也沒找到有這種能力的內(nèi)存芯片，顯然大多是通過加電壓而獲得的這種能力（標(biāo)準(zhǔn)的DDR2內(nèi)存模組是1.8±0.1V）。

如果用這種產(chǎn)品與我們上面所說的，按照正規(guī)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的模組相比，顯然是不公平的。但我們可以看看在DDR/DDR2對比，以及DDR2/DDR3的對比中，低一級的產(chǎn)品所使用都是什么模組呢？大多是DIY專用的發(fā)燒級產(chǎn)品，而新一級的產(chǎn)品則是按部就班老老實(shí)實(shí)的提供非常標(biāo)準(zhǔn)而正規(guī)的產(chǎn)品，從而更不要說低級產(chǎn)品以“越級”的方式以更高的頻率來對抗高一級的產(chǎn)品了。 #p#page_title#e#

說到這，大家應(yīng)該明白，DDR2時(shí)代的尷尬并不是DDR2本身的問題，而是廠商為了DDR市場上的賣點(diǎn)而擅自發(fā)揮所造成的結(jié)果。如果大家都是老老實(shí)實(shí)的按照標(biāo)準(zhǔn)做事，DDR2并不會有什么難看的。

不過，話雖然這么說，但畢竟廠商離不開市場，而在現(xiàn)有的情況下，DDR3的尷尬也將是注定了的。但請注意這并不是DDR3的無能，而是某些廠商有能耐。再以最上面的那個(gè)廠商為例，已經(jīng)將DDR2做到了PC2-8500（DDR2-1066）的水平，而時(shí)序水平達(dá)到了5-5-5的水平。再看看DDR3-1066還是7-7-7的水平?？墒乔罢叩碾妷菏?.2V，高出了標(biāo)準(zhǔn)0.4V，一切盡在不言中。

本文并不想否認(rèn)DDR3目前尷尬的處境，雖然能達(dá)到PC2-8500的產(chǎn)品并不多見，但在DDR3的成長期中，這類產(chǎn)品會越來越多，而其中一些高性能的模組也會起到“以點(diǎn)遮面”的效果，在媒體的評測中，都是以最強(qiáng)的DDR2去拼標(biāo)準(zhǔn)的DDR3，從而給用戶一個(gè)錯(cuò)覺——DDR3比DDR2差。可在實(shí)際的選購中，又有誰肯花大價(jià)錢去買那些發(fā)燒級的內(nèi)存模組呢？這才是需要我們注意的，也許兩年內(nèi)我們中的大部分人不會邁入DDR3的門檻，但對其中的是是非非要有自己的判斷。

如果說DDR2的尷尬會在DDR3身上繼承的話，那么DDR2當(dāng)時(shí)的出路也同樣適用于DDR3，那就是以服務(wù)器/筆記本電腦市場來包圍最后的臺式機(jī)市場。從DDR3的設(shè)計(jì)上，我們就能明顯看出其比DDR2更為節(jié)能的傾向，這些在我早前的專題《恩怨的延續(xù)——XDR2與DDR3》中有了較為詳細(xì)的闡述，在這里就不多說了。但在寫那篇專題時(shí)，DDR3并沒有最終定案，因此在本文的最后，還是需要對DDR3的一些關(guān)鍵點(diǎn)進(jìn)行簡要的介紹。

DDR3的信號在模組PCB上拓?fù)湓O(shè)計(jì)，采用了Fly-by的架構(gòu)

為了滿足高速度下尋址與命令信號的完整性，DDR3引入了穿越（Fly-by）架構(gòu)，控制器發(fā)出的命令與尋址信號，不再同時(shí)向所有的芯片發(fā)送，而是先放送到模組上，再依次貫穿所有的芯片，并在模組上進(jìn)行信號的終結(jié)，這樣減少高頻率下信號同步的問題，并將進(jìn)一步簡化主板的設(shè)計(jì)。這對于筆記本電腦來說，顯然是歡迎的。

DDR3在數(shù)據(jù)傳輸上也分別與每個(gè)芯片單獨(dú)打交道，可謂是點(diǎn)對點(diǎn)的溝通

另外，在數(shù)據(jù)傳輸方面，DDR3與DDR2在架構(gòu)上也有所不同。為了配合Fly-by設(shè)計(jì)，DDR3允許內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組上的每個(gè)芯片進(jìn)行單獨(dú)的溝通，而DDR2則需要一個(gè)整體的數(shù)據(jù)輸入與輸出總線（因?yàn)槊钆c尋址信號對于DDR2芯片來說是同時(shí)到達(dá)，而DDR3并不是），在高速傳輸中，也將同步性能問題所造成的影響降至最低。這也為后來的頻率進(jìn)一步提升打下了基礎(chǔ)。

配合更低的1.5V電壓，顯然DDR3初期的主戰(zhàn)場與DDR2當(dāng)時(shí)一樣，會首先瞄準(zhǔn)筆記本電腦市場。其次，隨著數(shù)據(jù)中心對服務(wù)器能耗與散熱的越來越強(qiáng)烈的關(guān)注，低能耗的DDR3內(nèi)存也會更早的進(jìn)入服務(wù)器廠商們的法眼。對于企業(yè)級用戶來說，服務(wù)器的性能并不是第一位的，穩(wěn)定、可靠與省錢已經(jīng)成為企業(yè)數(shù)據(jù)中心主管們的最大需求。

因此，作為臺式機(jī)用戶的我們，現(xiàn)在還沒有必要去關(guān)心DDR3（但說不準(zhǔn)哪天我們用的筆記本電腦就已經(jīng)是DDR3內(nèi)存了）。而等到DDR3內(nèi)存降到心理價(jià)位時(shí)，DDR2想必也已經(jīng)跟不上DDR3的步伐了。只是在這期間我們也沒必要抱怨DDR3什么，尷尬的確存在，但當(dāng)我們今天為DDR3敗在DDR2手下，或是基本與之持平而有所不齒時(shí)，就請想想我上面說的話，以及DDR2當(dāng)時(shí)所遭遇的情形吧……