三星公司宣布完成準30nm制程DDR4內(nèi)存的開發(fā)工作
時間：2011-01-05 02:03:00
來源：UltraLAB圖形工作站方案網(wǎng)站
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作者：admin
韓國三星電子公司宣布已經(jīng)完成使用準30nm級別制程（30-39nm之間）DDR4內(nèi)存模組的開發(fā)。目前DDR4內(nèi)存標準尚未最后成型，不過三星的 DDR4產(chǎn)品在1.2V工作電壓下可達到2.133Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸率。相比之下，DDR3內(nèi)存的工作電壓則需要在1.35-1.5V的工作電壓下才可 以達到1.6Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸率。
按三星自己的話說，如果把這種1.2V電壓的DDR4內(nèi)存使用在筆記本上，那么相比1.5V工作電壓的DDR3內(nèi)存，可省電40%左右。
參考圖：傳統(tǒng)堆挽（Push-Pull）和POD輸入/輸出技術的區(qū)別
這種內(nèi)存使用了一種被稱為準漏極開路（POD）的技術，這種技術在GDDR3/GDDR4顯存上曾有使用，在讀寫內(nèi)存數(shù)據(jù)時，這種技術可以比DDR3內(nèi)存的工作電流減小一半左右。
不僅如此，由于采用了新的電路架構(gòu)設計，三星這種DDR4內(nèi)存最高的數(shù)據(jù)傳輸率可高達3.2Gbps，相比之下，DDR3內(nèi)存僅有1.6Gbps，DDR2則僅800Mbps。
上個月月底，三星曾將一款1.2V 2GB容量的DDR4 unbuffered雙列直插內(nèi)存條樣品送給了某家內(nèi)存控制器廠商進行樣品測試。
三星目前正計劃與多家服務器廠商合作，以盡快在今年下半年完成DDR4 JEDEC標準的制定工作。
