海力士研制出全球首款30納米4GB DDR3內(nèi)存芯片
全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體星期三稱，它已經(jīng)開發(fā)出一種新的基于30納米技術(shù)的內(nèi)存芯片。這個(gè)里程碑式的事件可能會(huì)幫助海力士渡過全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的衰退。海力士在聲明中說，它開發(fā)出了使用30納米技術(shù)的全球第一個(gè)4GB DDR3內(nèi)存。這種新的芯片主要面向高端服務(wù)器和PC市場(chǎng)，提供比目前采用40納米技術(shù)制作的內(nèi)存芯片更快的速度并且將效率提高70%。
海力士在明年第一季度還將生產(chǎn)采用30納米技術(shù)的其它小容量的DRAM內(nèi)存芯片。這種最新產(chǎn)品的生產(chǎn)將在未來幾個(gè)月之內(nèi)實(shí)施。
專家說，此舉表明海力士正在從40至50納米技術(shù)向30至40納米技術(shù)過渡。采用高級(jí)的技術(shù)，芯片廠商能夠顯著降低生產(chǎn)成本和得到更多的利潤。
Kiwoom證券公司技術(shù)行業(yè)研究負(fù)責(zé)人Kim Seong-in說，臺(tái)灣和日本的企業(yè)仍在重點(diǎn)使用50至60納米技術(shù)。而海力士正在向30至40納米技術(shù)過渡。成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)種的這個(gè)差距將擴(kuò)大。
Kim補(bǔ)充說，此舉還將幫助韓國芯片廠商通過降低生產(chǎn)成本應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)最近的衰退。
據(jù)LIG投資與證券公司分析師Kim Young-jun說，2010年第四季度全球PC需求低于預(yù)期促使內(nèi)存芯片價(jià)格下降。12月份的2GB DDR3 DRAM內(nèi)存價(jià)格比三個(gè)月前下降了54%
