FB-DIMM和DDR2內(nèi)存功耗對比

 
 

測試平臺

　　同《短兵相接 皓龍至強新雙核全面對比 --AMD Opteron2000 Intel Xeon5100對比評測之性能篇》一文中所使用的平臺一樣，我們繼續(xù)從功耗方面進行對比。這兩個平臺都配置了兩顆處理器、4條以上的內(nèi)存、可熱插拔的硬盤，可以幫助我們有效的對于處理器、內(nèi)存和磁盤的功耗進行測定和對比。

　　我們在測試平臺上安裝了Windows Server 2003操作系統(tǒng)，將電源使用方案設定為“一直開著”，然后測量進入系統(tǒng)5-10分鐘內(nèi)的系統(tǒng)總體功耗，記錄為“無負載狀態(tài)”功耗。我們運行SPEC CPU200 int使得處理器達到滿載，然后測量系統(tǒng)的共功耗，記錄為“滿載狀態(tài)”功耗。

　　我們的Intel Xeon 5120平臺只有4條1GB FBD DDR2 533MHz內(nèi)存，我們將其配置為雙通道模式。由于FBD內(nèi)存子系統(tǒng)為串行結構，因此理論上越靠近內(nèi)存控制器的內(nèi)存越繁忙，遠離內(nèi)存控制器的內(nèi)存相對“清閑”一些。我們的測試結果顯示的是功耗相對較低的FBD通道末端的內(nèi)存的功耗。

　　AMD Opteron 2210平臺提供了8條容量為1GB的DDR2 533MHz內(nèi)存，我們將它們分別安裝在了對應于兩顆處理器的內(nèi)存插槽上，因此也可以說其工作在“4通道模式”上。DDR2內(nèi)存依然采用了并行的方式，并不存在FBD內(nèi)存的“遠或近”的問題。

　　從測試結果來看，F(xiàn)BD內(nèi)存的功耗和其工作狀態(tài)幾乎無關（或者說對于已經(jīng)運行的操作系統(tǒng)而言，F(xiàn)BD內(nèi)存始終處于較為繁忙的工作狀態(tài)上），每條1GB FBD 533MHz內(nèi)存的功耗為6.5瓦左右。而DDR2內(nèi)存的功耗同其工作狀態(tài)有關，“無負載狀態(tài)”下功耗只有0.5瓦左右，“滿負載”狀態(tài)下功耗則達到了2.25瓦。

　　在“無負載狀態(tài)”下（實際上是低負載狀態(tài)），F(xiàn)BD內(nèi)存的功耗是普通DDR2內(nèi)存的13倍，而“滿負載狀態(tài)”下，F(xiàn)BD內(nèi)存的功耗是普通的DDR2內(nèi)存的2.9倍！

　　單從內(nèi)存結構上看，F(xiàn)BD內(nèi)存和DDR2內(nèi)存均采用了DDR2內(nèi)存芯片，不同的是FBD內(nèi)存上增加了AMB芯片，基本上可以認為FBD增加的功耗都是來源于這顆芯片。

　　我們利用滿載狀態(tài)下的處理器功耗和不同數(shù)量的內(nèi)存的功耗得出了如上圖所示的曲線。如果系統(tǒng)中僅僅配置2-4條內(nèi)存的話，那么Intel Xeon平臺的內(nèi)存總功耗會達到13-26瓦，AMD Opteron平臺的內(nèi)存總功耗則只有4.5-9瓦，好在Intel Xeon 5120處理器在功耗上領先對手很多，即便是系統(tǒng)中配置了32條內(nèi)存，其總體功耗上依然占據(jù)優(yōu)勢。 #p#page_title#e#

　　在雙路配置的服務器中，2-4GB內(nèi)存容量是比較主流的配置，就目前的硬件條件來看，不會出現(xiàn)超過16DIMM的情況。比如，Intel 5000P MCH支持36bit尋址能力，總共可支持64GB物理內(nèi)存。MCH支持4個FB-DIMM內(nèi)存通道，每個通道最高支持4個雙bank FB-DIMM DDR DIMM。因此在非鏡像模式下，MCH最高可支持16 DIMM或者最大64GB物理內(nèi)存，在鏡像模式下最大可以支持32GB物理內(nèi)存。因此，在整體功耗上，Intel平臺還是能至少占據(jù)三成的領先優(yōu)勢。

　　我們使用UNI-T UT71E智能數(shù)字萬用表對于被測服務器系統(tǒng)的整體功耗進行了監(jiān)測，利用隨機附帶的接口程序，我們可以記錄被測服務器任意時間段內(nèi)的功率變化。