三星首發(fā)單條32GB DDR3內(nèi)存
時間：2009-07-05 20:31:00
來源：UltraLAB圖形工作站方案網(wǎng)站
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作者：admin
三星公司今天發(fā)布了全球首款單條容量高達32GB的DDR3內(nèi)存條，不過PC用戶先不要著急，該內(nèi)存為支持Registered的RDIMM內(nèi)存，專門針對服務器市場。
這條超大容量內(nèi)存條基于三星的50nm工藝4Gb內(nèi)存顆粒，工作電壓為1.35V，除了節(jié)約內(nèi)存插槽實現(xiàn)更大容量外，還能有效降低功耗。每條內(nèi)存共使用了72個4Gb DDR3 Die，18顆存儲芯片。通過QDP(quad-die package)多重封裝技術(shù)，每顆存儲顆粒內(nèi)封裝4 die，雙面各9顆顆粒(含校驗位)，組成了32GB的驚人容量。
三星援引IDC的報告稱，預計2009年DDR3將占到全球DRAM市場的29%，2011年將達到75%。而2Gb及以上的大容量顆粒在2009年僅占到市場容量的3%，2011年將達到33%。
